通过探针在轻敲模式下高频振荡，与样品表面发生间歇性接触。利用每次接触时耗散的能量，使材料发生塑性变形、被挤出或在针尖处堆积，从而实现材料的去除或图案化。这种方法能有效减少探针磨损。主要适用于在聚合物（如PMMA） 等软材料上高效制备纳米结构。例如，可以制造纳米凹坑、纳米沟槽，甚至用于原子及近原子尺度制造（ACSM）的研究，探究材料在高应变率下的机械行为
通过探针在轻敲模式下高频振荡，与样品表面发生间歇性接触。利用每次接触时耗散的能量，使材料发生塑性变形、被挤出或在针尖处堆积，从而实现材料的去除或图案化。这种方法能有效减少探针磨损。主要适用于在聚合物（如PMMA） 等软材料上高效制备纳米结构。例如，可以制造纳米凹坑、纳米沟槽，甚至用于原子及近原子尺度制造（ACSM）的研究，探究材料在高应变率下的机械行为
在导电探针和样品（需为导电或半导体）之间施加电压，空气中的水分在针尖与样品间形成纳米尺度的水桥。电场引发局域电化学反应，将样品表面氧化，形成氧化物。这些氧化物可后续通过化学方法选择性去除，或将氧化物本身作为结构。广泛用于半导体和金属材料（如硅、钛、石墨烯）的纳米级图案化。可用于制备纳米器件，如石墨烯纳米带、单电子晶体管等。最新的无电极技术甚至可以对绝缘材料（如六方氮化硼） 进行刻蚀。
利用AFM探针像一个微小的刀具。在较大的作用力下，探针在样品表面进行接触式划动，通过机械作用将材料去除或推挤到一旁，形成沟槽或结构。适用于较软的材料，如聚合物、生物样品等。常用于创建微米/纳米级的沟槽、进行纳米操纵（如切割细菌、移动微粒），或在材料表面直接书写图案
STM 刻蚀基于量子隧穿效应：金属针尖与导电样品间加偏压，形成纳米级间隙，产生隧穿电流。通过调控偏压、电流、针尖高度，在局部产生强电场、场蒸发、场诱导氧化 / 分解或热效应，使表面原子 / 分子被去除、迁移或化学反应，实现纳米尺度刻蚀与修饰。