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STM 刻蚀基于量子隧穿效应：金属针尖与导电样品间加偏压，形成纳米级间隙，产生隧穿电流。通过调控偏压、电流、针尖高度，在局部产生强电场、场蒸发、场诱导氧化 / 分解或热效应，使表面原子 / 分子被去除、迁移或化学反应，实现纳米尺度刻蚀与修饰。