扩展电阻成像（通常指扫描扩展电阻显微术，SSRM）是一种用于半导体材料中载流子浓度二维/三维分布高分辨率成像的技术，其核心原理基于扩展电阻探针技术（SRP）与导电原子力显微镜（c-AFM）的结合。
基本原理
扩展电阻效应：当金属探针与半导体接触时，在接触点附近电流会从探针向半导体横向扩散，形成一个“扩展电阻区”。该电阻值与半导体材料的局部电阻率密切相关，而电阻率又直接反映载流子浓度和掺杂水平。
探针扫描成像：通过在样品表面进行纳米级精度的探针扫描，同时测量各点的接触电压和电流，可获得局部电阻率分布图结合已知的校正曲线（电阻率 vs. 扩展电阻），即可反推出载流子浓度分布
高分辨率实现：采用导电原子力显微镜（C-AFM）模式，不仅提供形貌信息，还能在纳米尺度同步获取电学特性，实现纵向与横向的高分辨载流子 profiling。